小米10亮相即成為新晉“帶貨王”，帶火GaN（氮化鎵）充電器、WiFi6等配置的同時也將推動行業的硬件升級,GaN作為一種新半導體材料，給充電器帶來了無法想象的效果。

GaN器件可以實現比硅器件快100倍的開關速度。硅半導體器件向前推進可以實現200K開關頻率，而以納微GaN產品為例，單管已經可以實現20M的開關頻率。被小米10 Pro充電器采用的納微半導體65W氮化GaN方案，開關頻率僅設計在500K左右，是傳統硅器件的6-7倍的速度，但其優點已經非常顯著了。

GaN從IR做第一個功率器件到現在已歷時15年以上，而2018年后GaN器件才真正進入一個大批量量產的過程。目前GaN功率器件玩家主要有兩類，一類是基于IR“基因”的初創公司，另一類是功率半導體巨頭們，不過每一家在技術路線上都有明顯的差異，且每一家都在走嘗試性路線。相比硅半導體方面，GaN方案在體積、效率等方面優勢明顯。在價格方面，由于GaN器件的量還沒有起來，所以價格是傳統硅器件的2倍以上，但是可以預見在未來的2-3年，GaN器件價格將以每年20%-30%下降，因此會迅速逼近硅器件的成本，這也是GaN迎來爆發式增長的關鍵節點。

在消費領域納微GaN產品優勢已得以體現，去年累計出貨量實現150萬顆。隨著GaN器件在手機以及筆記本電腦領域滲透率進一步提升，我們認為GaN器件今年在消費市場總體出貨量會在1500-2000萬顆。

服務器電源、數據中心電源、5G基站電源這三大領域的共同特點是，需要省電、效率需提升、功率等級不是很大，而這恰符合GaN工作的范疇。

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